| 組別 | 題目 | 摘要 | 海報 |
| 1 | 利用靜電紡絲技術備製Si-Ti奈米纖維及探討其應用 | 1. 製備Si-Ti溶液並紡絲,觀察放置在室溫及冰箱下奈米纖維的差異。 2. 進行水滴角測試,觀察角度大小來分辨是親水性或疏水性並對不同環境做討論。 3. 使用TGA等儀器來進行質量變化,通常與材料分解、揮發和反應。 4. 使用TMA研究材料熱機械性質,尺寸及形狀的改變。 |
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| 2 | 退火溫度對Eu2O3 和Ce2O3摻雜ZnO薄膜之光電性質的影響 | 1. 氧化鋅薄膜因為材料本身價格低廉、相對的沉積溫度較低、無毒性且具備良好的光學性質與電性而受到矚目。 2. 純氧化鋅的光學與電性質較不穩定,不利於元件上的應用,因此一般皆會由摻雜異質原子來取得具備較穩定光學性質的共摻雜氧化鋅。 3. 氧化鋅能隙約為3.37eV,使得它在可見光範圍具有很高的穿透率。 4. 以電性質方面來看,通常氧化鋅薄膜電阻率較高,所以一般通常會藉著摻入雜質來增加氧化鋅薄膜的載子濃度及遷移率,進而降低電阻率 |
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| 3 | 製備參數SrMn1-yNiyO3鈣鈦礦氧化物作為超級電容電極材料對電化學性能之影響 | 1.進一步提高超級電容效能,需要找到適當的電極材料,提高比電容值。 2.因電容正負極是串聯配置,負極較低比電容會限制整體性能,超級電容的正極材料已達到相對較高的比電容值。但負極材料的研究相對不足,比電容值也較低,為現階段的瓶頸。 |
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| 4 | 以微型攜帶式電化學感測唾液中皮質醇應用於憂鬱症檢測 | 1. 皮質醇(Cortisol)是一種由腎上腺分泌的激素,其合成和分泌受下丘腦-腦垂體-腎上腺軸控制。檢測皮質醇的方法包括抽血、驗尿和唾液。 2. 在本次研究以非侵入性的唾液中的皮質醇檢測。乙烯-乙烯醇共聚合物(EVAL copolymer)之分子模版,並利用分子模板的專一性將唾液中的皮質醇作為目標分子,使用不同EVAL、拓印濃度、吸附時間等參數進行,並檢測唾液中的皮質醇。 3. 分子模板具有重複使用的特性,檢測中可以發現使用去離子水清洗能重複使用約兩次。 4. 根據文獻正常人皮質醇濃度約在1.2~14.7ng/ml,加入唾液中的皮質醇進行檢測可以發現早上八點的濃度約在14.2ng/ml,晚上的濃度約在8.05ng/ml,皆在正常範圍內。 |
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| 5 | 寬能隙氧化物之氧化鋅及氧化鋅鎵薄膜磊晶成長及光電性質研究 | 1 氧化鋅(ZnO)與氧化鋅鎵(ZnGa2O4)為寬能隙半導體材料。 2 本研究採用CVD、CVT和射頻磁控濺鍍技術,於雲母及藍寶石基板上磊晶氧化鋅(ZnO)與氧化鋅鎵(ZnGa2O4)薄膜的影響因素。 |
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| 6 | 聚乙烯醇與甲酸共混溶液電紡特性研究 | 因為鮮少看到在研究聚乙烯醇與甲酸溶液在不同濃度及不同的靜置時間下所紡絲的相關文獻 本實驗想來探討靜電紡絲所產生的纖維特性、顯微結構、親疏水性、以及纖維成分 |
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| 7 | 氧化鋁摻雜對UCr4C4結構Na0.5K0.5Li3SiO4:1%Eu螢光粉特性影響之研究 | • Ca1-ySr1-ySi1-xAlxO4:yCe³⁺,yLi⁺,以Ce³⁺、Li⁺為活化劑,改變活化劑的量和主晶體的量來探討發光性質,採用高溫固相反應法,主要以混合研磨後進行熱處理,在還原氣氛(90%N2+10%H2)中1400°C 燒結5hr。 • 探討了在CaSrSiO₄:Ce³⁺,Li⁺中用Al³⁺替代Si⁴⁺的影響。我們討論了隨著Al/Si比率增加,CaSrSi1-xAlxO₄:Ce³⁺,Li⁺(x = 0~0.10)磷光體的晶體結構和發光性能,觀察到的紅移被歸因於Ce³⁺佔據的陽離子多面體的畸變,因此將此窄帶藍光磷光體與商業紅色和綠色磷光體結合,製備了具有高CRI(Ra = 94.7)和低CCT(4053K)的白光LED。 |
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| 8 | 不同熱浸鍍鋅鋁鎂液對SS316L之耐蝕性質研究 | 1. SS316L鍍槽硬體材料對不同Mg含量熱浸鍍鋁鋅液的耐蝕性質之影響。 2. 透過微組織、減薄速率等探討,了解SS316L在不同溫度、測試時間及不同Mg含量的熱浸鍍鋁鋅液之腐蝕動力學。 3. 了解熱浸鍍鋅鋁鎂對鍍槽硬體之使用壽命,所需維護的頻率以達到高度安全性。 |
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| 9 | 利用靜電紡絲技術製備Si-Ti奈米纖維並研究 | 1. 對 Si - Ti / PVP 混合溶液進行靜電紡絲,蒐集其奈米纖維材料,並放置於不同地方(室溫下、防潮箱),拍攝 SEM 照片。 2. 對靜電紡絲過後的纖維進行處理後再進行水滴角測試。 3. 以及用 SEM、TMA 、TGA等儀器來進行後續的處理過程 |
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| 10 | 利用Mist-CVD製程進行寬能隙氧化鎂鋅薄膜成長研究 | 1. 探討不同鎂成分比例(x)之氧化鎂鋅(Zn1-xMgxO)薄膜對膜層顯微結構及光電性質的影響。 2. 探討利用不同晶格匹配緩衝層(ZnO/NiO)基板對於進行六方纖鋅礦結構(w- Zn1-xMgxO)及立方岩鹽結構(c- Zn1-xMgxO)磊晶成長影響。 |
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| 11 | GTAW銲接及精簡化之熱處理程序對Cu-Ni-Si-Cr合金銲接修補特性影響 | 本研究探討GTAW(鎢極氣體保護銲)技術應用於Cu-Ni-Si-Cr合金模具修補之可行性,並簡化傳統熱處理程序(省略銲前固溶處理),以節省時間與能源成本。 | |
| 12 | 靜電紡絲技術利用殼聚醣(CS)及甲殼素(CT)與PEO混合製成纖維之形貌 | • 利用靜電紡絲技術生成奈米纖維,應用於傷口敷料上。 • 使用聚乙二醇(PEO)與甲酸混合為靜電紡絲前驅液,利用甲殼素(CT)、殼聚醣(CS)各別混合前驅液進行靜電紡絲技術的製備。 • 靜電紡絲生成奈米和微米的纖維支架,根據其形態、濕潤性、化學成分、熱性能進行分析。 |
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| 13 | 大氣下不同溫度快速退火對氧化鋅鎵薄膜影響之性質研究 | 本研究探討大氣環境中快速退火溫度(600-900°C)對射頻濺鍍ZnGa₂O₄薄膜的影響,關鍵發現: 1. 結構演變:退火後立方尖晶石結構(Fd3m)結晶性提升,晶粒尺寸從17.8 nm(600°C)增至37.1 nm(900°C),但800°C以上出現Ga₂O₃析出相。 2. 光電性能: ●可見光穿透率>90%,能隙從4.73 eV(未退火)升至5.07 eV(900°C),具深紫外光吸收特性。 ●800°C退火後電阻率最高(7.01×10⁴ Ω·cm),載子濃度達2.07×10¹³ cm⁻³。 |
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| 14 | 利用熱蒸鍍法成長摻雜錫之硒化銅薄膜之性質研究 | 利用熱蒸鍍法(Thermal Evaporation Deposition)中的熱電阻加熱法(Resistive Heating),研究製備近年來相當熱門且技術仍在更新之p型透明導電薄膜。以金屬元素Sn摻雜成長CuSe薄膜於石英基板,再以石英管狀退火爐進行硒化處理,使其成為金屬硒化物之複合薄膜,以固定金屬含量5%,改變硒化溫度(200℃、 300℃、400℃、500℃),及持溫時間固定為(120分鐘),探討CuSe、Cu2SnSe3 (CTSe)薄膜性質之影響。 | |
| 15 | 以水熱法及碳/活化製程製備木糖、澱粉基多孔活性碳微球製程及性質研究 | 本研究使用木糖、澱粉作為碳前驅體材料,將藉由控制碳/活化製程中不同活化劑種類、濃度等製程參數得到具可控孔洞結構之多孔活性碳微球,並進一步比較不同條件下所製得的多孔碳微球的顯微結構及電化學性質上的表現。 | |
| 16 | 以活化製程改質栗子殼製備多孔活性碳應用於電極材料研究 | 本研究採用栗子殼作為碳基材料的前驅體,透過改變活化劑 (KOH) 的比例(1:0、1:0.3、1:0.5、1:1、1:2) ,使用一次活化改質製備多孔碳電極材料,再加上比較使用不同二次活化溫度(500、600、700、800℃),探討在不同的二次活化條件下,不同的活化劑比例和不同的活化溫度對多孔活性碳材料的顯微結構及電化學性質的影響。 |
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